МИКРОСХЕМЫ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ


ЛОГИЧЕСКИЕ МИКРОСХЕМЫ - часть 3


К выходу логического элемента можно подключить несколько входов таких же элементов. Для выравнивания входных токов эле­ментов-нагрузок в базовые цепи транзисторов включены резисторы

Базовые элементы ДТЛ строятся на основе диодной логиче­ской схемы и транзисторного инвертора (рис. 4.4). Элемент выпол­няет операцию И — НЕ: для перевода элемента в состояние 0 на выходе необходимы сигналы 1 на всех входах.

Рис. 4.4. Базовые элементы ДТЛ:

а — со смещающими диодами; б — с дополнительным транзистором

 

Число различных вариантов построения элементов ДТЛ веаико Мы ограничимся рассмотрением тех из них, которые получили наи­более широкое распространение. Элемент, схема которого представ­лена на рис. 4.4,а, является базовым для микросхем серии 217 Он содержит несколько входных диодов, которые вместе с резистором Ri служат для выполнения логической операции И и выходной инвертор. Два диода До в цепи базы транзистора, часто называе­мые смещающими, предназначены для увеличения порога сраба­тывания инвертора. Нередко предусматривается возможность под­ключения ко входу дополнительной диодной сборки для расши­рения логических возможностей элемента по выполнению опера­ции И.

Работает элемент следующим образом. При наличии хотя бы на одном входе сигнала 0 соответствующий диод открыт и ток от источника Е1 через резистор R1 и открытый диод Д{ поступает в выходную цепь предыдущего элемента. При этом транзистор ока­зывается закрытым, и на выходе элемента напряжение имеет вы­сокий уровень, т. е. уровень 1.

Если на все входы поданы сигналы с уровнем 1, входные дио­ды закрыты, и ток от источника ei поступает в базу транзистора. Он открывается и входит в режим насыщения, при этом выходное напряжение уменьшается до уровня 0.

Выключается транзистор обратным током базы, протекающим через диоды До, представляющие некоторое время малое сопротив­ление обратному току, диод Д1 и выход открытого транзистора предыдущего элемента. Время восстановления диодов Д0 должно быть больше времени рассасывания накопленного в транзисторе Т заряда: в противном случае диоды Д0 закроются, и процесс выклю­чения транзистора существенно замедлится.




- Начало -  - Назад -  - Вперед -