МИКРОСХЕМЫ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ


ЛОГИЧЕСКИЕ МИКРОСХЕМЫ - часть 5


При этом открывается до насыщения и транзистор Т4, обеспечивая низкий уровень выходного напряжения. Транзистор Т3 в это время закрыт, поскольку напряжение на коллекторе открыто­го транзистора Т2 мало. Диод Д служит для повышения порога открывания транзистора Г3.

Рис. 4.5. Базовый элемент ТТЛ (а) и расширитель по ИЛИ (б)

 

При наличии хотя бы на одном входе сигнала 0 открывается соответствующий эмиттерный переход входного транзистора, и ток от источника через резистор ri и открытый эмиттерный переход поступает в выходную цепь источника сигнала, т. е. выходит из рассматри­ваемого элемента. Транзисторы Т2 и Г4 закрываются, а транзистор 73 откры­вается. На выходе обеспечивается уро­вень 1. Таким образом, рассмотренный элемент ТТЛ выполняет логическую операцию И — НЕ. Для ограничения тока через открытый транзистор Г3 при коротком замыкании выхода элемента включен резистор R4.

Рис. 4.6. Транзистор с диодом Шотки (а) и его условное обозначение (б)

 

Благодаря применению сложного инвертора элемент имеет малое выход­ное сопротивление как в состоянии О, так и в состоянии 1. Это позволяет увеличить ток, отдаваемый в нагрузку, т. е. повысить нагрузочную способность, а также уско­рить процессы заряда и разряда емкости нагрузки.

В состав некоторых серий цифровых микросхем ТТЛ входят логические элементы без коллекторной нагрузки выходного транзи­стора — элементы с «открытым» коллектором. Они предназначены для работы с внешней нагрузкой в виде индикаторных приборов, реле и т. д.

В последние годы наряду с микросхемами ТТЛ, построенными на рассмотренных элементах, выпускают микросхемы ТТЛШ. Эти микросхемы построены по тем же схемотехническим принципам, что и ТТЛ, но вместо обычного транзистора в них использован транзи­стор с диодом Шотки (рис. 4.6), включенным параллельно коллек­торному переходу. Диод Шотки, открываясь при напряжении 0 „2 — 0,3 В, фиксирует этот уровень напряжения на коллекторном пере­ходе, не позволяя переходу открыться, а транзистору войти в ре­жим насыщения.


- Начало -  - Назад -  - Вперед -