МИКРОСХЕМЫ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ


МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ ОЗУ - часть 3


При запрещающем значении сигнала ВМ накопитель изо­лирован от выходов дешифратора строк и шины ввода — вывода.

Ключи выборки столбцов управляются сигналами с выходов дешифратора У и предназначены для коммутации цепи между вы­бранным ЭП и шиной ввода — вывода.

Режим микросхемы устанавливается сигналом «Запись — считы­вание» (3С). При единичном уровне сигнала 3 — Си наличии разрешающего сигнала ВМ открыта схема ввода, и информация со входа через шину ввода — вывода и открытый ключ выборки столб­ца поступает в выбранный ЭП. При считывании сигнал 3 — С имеет нулевой уровень, при котором открывается схема вывода информа­ции на выход микросхемы F. Выходная цепь может принимать одно из трех состояний: открытое F — Q, закрытое F=l и высокоомное, при котором выход отключается от внешней шины. Высокоомное состояние выход имеет при отсутствии разрешающих сигналов ВМ и 3 — С.

Таблица 5.5

Микросхема

Технология

Емкость, бит

Время цикла,

НС

Потребляемая мошность, мкВт/бит

Статические ОЗУ

К500РУ410

ЭСЛ

256X1

40

3-103

К134РУ6

ИИЛ

1024X1

650

300

К541РУ1Б

ИИЛ

4096X1

280

130

К505РУ2

p-МДП

1024X1

700

900

К505РУ6

n-МДП

1024X1

650

300

К565РУ2

n-МДП

1024X1

400

400

К176РУ2

кмдп

256X1

700

35

К564РУ2 (при U„.!,=

кмдп

256XJ

15СО

0,4 (при хране­нии)

=5 В)

50 (при обра-

щении)

Динамические ОЗУ

К507РУ1

p-МДП

1024X1

600

75

К565РУ1

n-МДП

4096X1

400

5 (при хране-

нии)

175 (при об-

К565РУЗ

n-МДП

1638X1

400

ращении) 5 (при хране-

нии)

40 (при обра-

щении

Некоторые примеры микросхем статических ОЗУ и их парамет­ры представлены в табл. 5.5 [17, 51].

Перейдем к рассмотрению устройства и принципа действия ми­кросхем памяти динамического типа. Обычно такие микросхемы изготавливают по МДП-технологии.


- Начало -  - Назад -  - Вперед -