МИКРОСХЕМЫ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ


МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ ПЗУ - часть 2


Для этого с помощью специальной установки пережигают плавкие перемычки в точках соединения столбцов и строк. Один из вариантов ППЗУ на основе многоэмиттерных транзисторов показан на рис. 5.18. Один транзистор составляет строку. При выборке по адресной шине на базу транзистора поступает сигнал. Транзистор открывается, и на разрядных шинах формируются уровни напряже­ния, соответствующие схеме соединения с этими шинами эмиттеров данного транзистора: если эмиттер соединен с шиной, то в эту шину поступит ток от источника коллекторного напряжения, если пере­мычка разрушена, то тока в шине не будет. Выходными усилителя­ми это различие в состояниях разрядных шин преобразуется в код числа.

Репрограммируемые ПЗУ обычно строят на основе структур МНОП, т. е. металл-нитрид кремния-окисел кремния-полупроводник, или МДП с плавающим затвором. Структура МНОП представляет собой (рис. 5.19,с) МДП-транзистор с двухслойным диэлектриком под затвором. Нижний, примыкающий к полупроводнику слой дву­окиси кремния толщиной 3 — 4 им, «прозрачен» для электронов. Если к затвору относительно подложки приложить импульс напряжения положительной полярности, то под действием сильного электриче-сксгс поля между затвором и подложкой электроны приобретают достаточную энергию, чтобы пройти тонкий диэлектрический слой до границы раздела двух диэлектриков. Верхний слой нитрида кремния имеет значительную толщину, так что электроны преодо­леть его не могут.

Рис. 5.19. МНОП-транзистор (a) и его передаточная харак­теристика для двух состояний (б)

Накопленный на границе раздела двух диэлектрических слоев заряд электронов снижает пороговое напряжение и смещает пере­даточную характеристику транзистора влево (рис. 5.19,6). Так за­писывается 1. Логическому 0 соответствует состояние транзистора без заряда электронов в диэлектрике. Чтобы обеспечить это состоя­ние, на затвор подается импульс напряжения отрицательной поляр­ности. При этом электроны вытесняются в подложку. При отсутст­вии заряда электронов под затвором передаточная характеристика смещается в область высоких пороговых напряжений.




- Начало -  - Назад -  - Вперед -