МИКРОСХЕМЫ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ




ОСНОВНЫЕ ЭТАПЫ РАЗРАБОТКИ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ НА МИКРОСХЕМАХ - часть 8


д.) или непосредственно в заданном базисе.

Основной критерий синтеза функциональных схем аппаратуры на интегральных микросхемах — минимизация числа микросхем и их внешних соединений. Сложность каждой микросхемы — в дан­ном случае не лимитирующий фактор. Другой критерий — функцио­нальная однородность, т. е. максимальное использование элементов с одинаковыми функциями. Это обусловливает унификацию схемы, что, в свою очередь, ведет к снижению ее стоимости.

В цифровой аппаратуре обычно можно выделить типовые функ­циональные структуры (дешифраторы, триггеры, счетчики, распреде­лители, регистры, устройства памяти и др.), которые заранее син­тезированы в базисе выбранных микросхем (примеры реализации перечисленных структур приведены в гл. 4). При использовании микросхем повышенной степени интеграции необходимость в синте­зе указанных типовых структур иногда отпадает, поскольку они могут входить в состав серий.

Пятый этап — разработка принципиальной схемы. На данном этапе проводят электрический расчет всех элементов, которые нель­зя было реализовать с помощью выбранных серий общего приме­нения. Здесь же окончательно разделяют схему на части: а) реали­зуемые с помощью выбранных серий общего применения; б) реа­лизуемые с помощью новых специализированных микросхем (ми­кросборок); в) реализуемые на основе дискретных компонентов (блоки питания, фильтры, устройства сопряжения с исполнитель­ными элементами и т. д.). Дискретные компоненты используют в первую очередь в тех случаях, когда интегральные микросхемы из-за технологических или других ограничений не могут обеспечить требуемых параметров. В табл. 8.1 приведены границы областей применения дискретных резисторов и конденсаторов в аппаратуре на гибридных (в числителе) и полупроводниковых (в знаменателе) микросхемах. Катушки индуктивности обычно используют в виде дискретных компонентов при любых номинальных значениях. Ис­ключение составляют лишь случаи использования пленочных кату­шек индуктивностью до 20 мкГн в гибридных микросхемах.


Содержание  Назад  Вперед