МИКРОСХЕМЫ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ



Полупроводниковые интегральные микросхемы - часть 2


Рассмотрим теперь особенности устройства элементов полупро­водниковых микросхем, которые обусловлены необходимостью изо­ляции элементов от тела кристалла, обладающего заметной элек­трической проводимостью. Изоляцию элементов осуществляют либо с помощью дополнительного электронно-дырочного перехода, находя­щегося под обратным напряжением, либо с помощью тонкого слоя диэлектрика, например двуокиси кремния. Первый способ более прост и дешев и поэтому наиболее распространен, но он не позво­ляет получить ток утечки на тело кристалла менее 10 нА и емкость элемента по отношению .к телу кристалла менее 2пФ. Второй способ более сложен и дорог, но снижает ток утечки в тысячи раз, а емкость — в десятки раз.

Биполярные транзисторы. Структура транзистора, изолирован­ного электронно-дырочным переходом, показана на рис. 1.4. Элек­трод коллектора К расположен в интегральных транзисто­рах на верхней поверхности кристалла, там же находятся элек­троды эмиттера Э и базы Б. Чтобы в этих условиях обеспечить низкоомный путь для коллекторного тока к электроду коллектора K, под n-областью коллектора создают скрытый слой n+, обладаю­щий повышенной проводимостью. Изо тирующий переход образуется вдоль линии, разделяющей «-область коллектора и «+-область его скрытого слоя от р+-областей и р-области тела кристалла.

                                                         


Рис. 1.6. Интегральные полу­проводниковые диоды (схема соединения)

Рис. 1.7. Интегральный МДП-транзистор


Транзисторы полупроводниковых микросхем могут иметь не сколько отдельных эмиттеров при одной базе и одном коллекторе. Такие транзисторы называются многоэмиттерными. Их устройство показано на рис. 1.5, а способы использования рассмотрены в гл 4 Если в полупроводниковой микросхеме применяют диэлектриче­скую изоляцию элементов, то транзисторы имеют такую же двух­переходную структуру, как и их дискретные аналоги.

Значения параметров интегрального биполярного транзистора определяются, как обычно, концентрационным профилем структуры, площадью переходов, электрофизическими параметрами материала.


Содержание  Назад  Вперед