МИКРОСХЕМЫ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ



Полупроводниковые интегральные микросхемы - часть 6


Принцип действия этого элемента рассмотрен в гл. 4. На рис. 1.10,6 показан кристалл полупроводниковой микросхемы, представляющий собой данный функциональный узел (вид сверху). Обозначения те же что и на принципиальной схеме. Области, занятые транзисторными структу­рами, отмечены буквами Т, и Т2, выводы их эмиттеров — Э коллек­торов-K, баз -Б, пленочные резисторы Rь R2, R3 (отмечены точ­ками). Межсоединения и контактные площадки 1, 2, 3, 4, 5 отме­чены штриховкой. Область, занимаемая элементами на кристалле имеет размеры 1x1 мм. На рис l.l0.e показан разрез кристалла по А-А. Видны эмиттерная n+-область транзистора Т1 и вывод его эмиттера Э, базовая р-область и ее вывод Б, коллекторная n-область и ее вывод K, а также изолирующий слой двуокиси крем­ния на поверхности подложки (заштрихован) и пленочные резисто­ры R1 и R3 (отмечены точками).

Рассмотренная полупроводниковая микросхема имеет пять элр ментов: два транзистора и три резистора. В выпускаемых промышленностью микросхемах число элементов на кристалле значительно больше, иногда оно исчисляется десятками и даже сотнями тысяч.




Содержание  Назад  Вперед