МИКРОСХЕМЫ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ



СЕРИИ МИКРОСХЕМ ДЛЯ АППАРАТУРЫ РАДИОСВЯЗИ И РАДИОВЕЩАНИЯ - часть 4


Коэффициент гармоник не более 13 %. Напряжение питания микро­схемы 5 В+10 %, потребляемая мощность не более 15 мВт.

Микросхемы 219НТ1 и 219НТ2 — транзисторные сборки, пред­назначенные для создания маломощных транзисторных каскадов. Микросхема 219НТ1 содержит пять транзисторов 2Т317, а микро­схема 219НТ2 — четыре.

Микросхемы серии 235 для KB и УКВ радиоаппаратуры. Соче­танием высокой функциональной законченности с многоцелевым на­значением характеризуются микросхемы серии 235, предназначенные для использования в KB и УКВ радиоаппаратуре на частотах до 150 МГц. Серия состоит из 22 микросхем, выполненных по гибрид­ной технологии.

Микросхему 235УВ1 (рис. 2.1,а) выпускают в двух модифика­циях (А, Б) и применяют в основном в усилителях ВЧ (см. рис. 2.2,а).

Усилительная часть микросхемы, выполненная по каскодной схе­ме ОЭ — ОБ на транзисторах Т2 и Т1, обеспечивает устойчивое усиление на ВЧ при сравнительно низком уровне шума (на частоте 150 МГц коэффициент шума не более 7 дБ для модификации А и. не более 10 дБ для модификации Б). Крутизна проходной характе­ристики на частоте 150 МГц не менее 7 мА/В, а на частоте 10 МГц не менее 20 мА/В. Благодаря термозавиоимому делителю базового смещения (резисторы R1 — R3 и диоды Д1 и Д2) и цепям обратной связи относительное изменение крутизны проходной характеристики не превышает ±25% в интервале температур от — 60 до -f-70°C.

На частоте 10 МГц входное сопротивление не менее 0,5 кОм, входная емкость не более 25 пФ, выходное сопротивление не менее 30 кОм, а выходная емкость около 6 пФ.

Схема на транзисторе Т3 позволяет осуществить АРУ. Измене­ние напряжения, подаваемого на вывод 7, вызывает изменение эмит-терного тока транзистора Тз, а следовательно, и токов транзисторов T2 и T1. В результате происходит смещение рабочей точки усили­теля. Напряжение задержки АРУ не менее 1,45 В, а максимальная глубина регулировки по цепи АРУ до 46 дБ (при напряжении АРУ 4 В).

При сопротивлении нагрузки 100 Ом микросхема обеспечивает на частоте 10 МГц усиление не менее чем в 200 раз (при коэффи­циенте устойчивости 0,9).




Содержание  Назад  Вперед