МИКРОСХЕМЫ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ




СЕРИИ МИКРОСХЕМ ДЛЯ АППАРАТУРЫ РАДИОСВЯЗИ И РАДИОВЕЩАНИЯ - часть 5


Напряжение питания 6,3±10 %, потребляемая мощность не бо­лее 20 мВт.

Кроме своего основного назначения микросхема 235УВ1 приме­няется в смесителях с регулируемым коэффициентом преобразова­ния. Напряжение внешнего гетеродина в этом случае подают в кол­лекторную цепь транзистора Т2 через конденсатор C4 или через внешний конденсатор, подключаемый к выводу 8.

Микросхемы 235УР2 (рис. 2.1,6) и 235УР8 предназначены глав­ным образом для работы в качестве выходных усилителей тракта ПЧ. Они имеют одинаковое схемное построение, которое включает в себя трехкаскаднын усилитель на транзисторах TI — Т3 и эмиттер-иып повторитель на транзисторе 7V

Входная часть усилителя выполнена по схеме с ОЭ, а выход­ная — -по каскодной схеме. Это обеспечивает хорошую развязку по переменной составляющей между входом и выходом микросхемы. Наличие глубокой обратной связи по постоянному току позволяет изменять питающее напряжение от 4 до 16 В.

Рис. 2.2. Варианты применения усилительных микросхем серии 235:

а — резонансный усилитель ВЧ; б — апериодический усилитель ПЧ; в — уси­литель ПЧ с пьезокерамическим фильтром на входе; г — резонансный усили­тель ПЧ с АРУ; д — дифференциальный усилитель; е — микрофонный усили­тель; ж — регулируемый резонансный усилитель ПЧ с эмиттерным повторите­лем на выходе; з — частотный детектор; и — резонансный усилитель ОЭ — ОБ; к — кварцевый гетеродин с удвоителем частоты; л — апериодический усили­тель ОЭ — ОБ; м — преобразователь частоты с собственным кварцевым гете­родином

Для выравнивания частотной характеристики в эмиттерной цепи первого каскада использована частотная коррекция, благодаря чему микросхему можно применять как широкополосный усилитель. Коэф­фициент усиления регулируется с глубиной 18 дБ изменением со-противтения резистора, подключаемого между выводами 2 и 5. Поскольку этот резистор оказывается включенным в цепь обратной связи, то изменение его сопротивления практически не оказывает влияния на стыковочные параметры микросхемы.


Содержание  Назад  Вперед