МИКРОСХЕМЫ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ



СЕРИИ МИКРОСХЕМ ДЛЯ ЛИНЕЙНЫХ И ИМПУЛЬСНЫХ УСТРОЙСТВ - часть 2


Кроме работы на симметричный выход микросхема К122УД1 может использоваться и с несимметричным выходом. При этом несколько ухудшается подавление синфазной помехи.

Важным элементом большинства интегральных дифференци­альных усилителей является токостабилизирующий двухполюсник (генератор то-ка), подобный тому, который выполнен в рассматри­ваемой микросхеме на транзисторе Т3 и включен в общую эмит-терную цепь транзисторов Т1 и Т2. Двухполюсник играет важную роль в обеспечении подавления синфазной помехи и заменяет вы-сокоомный резистор, создание которого в полупроводниковых ми­кросхемах вызывает ряд затруднений.

Если токостабилизирующий двухполюсник идеален, т. е. имеет бесконечное дифференциальное сопротивление, то воздействие син­фазной помехи вызывает только приращение потенциала эмиттеров Транзисторов TI и Т2. При этом токи и потенциалы их коллекторов не изменяются. Если же токостабилизирующий двухполюсник не идеален, то приращение потенциала эмиттеров транзисторов TI и Т2 сопровождается приращением токов и потенциалов их коллек­торов, т. е. появлением синфазной составляющей на выходе уси­лителя. При некоторой несимметрии плеч дифференциальной пары это приведет и к возникновению паразитной дифференциальной составляющей выходного напряжения. Таким образом, внутреннее дифференциальное сопротивление токостабилизирующего двухпо­люсника должно быть как можно больше.

Режим транзистора токостабилизирующего элемента опреде­ляется резистором R3 и делителем базового смещения, образован­ным резисторами R6, R4 и R5, а также транзистором Т4 в диодном включении. Транзистор T4 применен для стабилизации тока тран­зистора Т3 при изменении температуры.

Изменением потенциала на базе транзистора Т3 (для этого можно использовать выводы 8, 11 или 12) достигают изменения динамического диапазона усилителя, а также входного сопротив­ления.

Микросхему К122УД1 выпускают в трех модификациях (А, Б и В). Они различаются по значению питающего напряжения (±4В±10% и ±6,ЗВ±10%), минимальному коэффициенту уси­ления (15 и 24), входному сопротивлению (6 и 3 кОм), входному току (10 -и 20 мкА) и по другим параметрам.




Содержание  Назад  Вперед