МИКРОСХЕМЫ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ



СЕРИИ МИКРОСХЕМ ДЛЯ ЛИНЕЙНЫХ И ИМПУЛЬСНЫХ УСТРОЙСТВ


Промышленностью освоена широкая номенклатура серий микро­схем, предназначенных для создания линейных и импульсных устройств различного назначения.

Это в первую очередь серии К101, КП8, КИ9, К122, К124, К162, К218, К228, К249, К722.

Рис. 2.18. Микросхемы серии К122

Микросхемы серий КИ8, К122 и К722 для линейных и порого­вых устройств. Серии КИ8, К122 и К722 близки по составу и раз­личаются конструктивным оформлением микросхем. Для этих серий характерна универсальность входящих в их состав микросхем. Рас­смотрим схемотехнические особенности некоторых из них.

Микросхема К122УД1 является однокаскадным дифференциаль­ным усилителем постоянного тока, принципиальная схема которого показана на рис. 2.18,а.

Основу усилителя составляют транзисторы Т} и Т2 с идентич­ными параметрами. Совместно с равными по сопротивлению рези­сторами Ri и Ri эти транзисторы образуют сбалансированную мо­стовую схему. В идеальном случае напряжение на диагонали моста между выводами 5 и 9 при отсутствии входного сигнала должно быть равно нулю.

Одно из важнейших достоинств дифференциальных усилителей заключается в том, что балансировка моста не нарушается и в слу­чае синфазного воздействия на выводы 4 и 10. Обычно появление синфазного сигнала объясняется наличием наводок или других помех. Они вызывают одинаковые по амплитуде и фазе изменения напряжений на входах обоих транзисторов, а следовательно, и иден­тичные изменения токов через них. В результате напряжение меж­ду выводами 5 и 9 не претерпевает изменений, что свидетельствует о подавлении синфазной помехи.

Полезный сигнал обычно подается на дифференциальный вход между базовыми выводами транзисторов Т} и Т2. В этом случае входные сигналы обоих транзисторов равны по амплитуде и про­тивоположны по фазе. Изменение тока коллектора одного из тран­зисторов сопровождается противофазным изменением тока второго транзистора. Как следствие, появляется и меняется в соответствии с сигналом разность напряжений между коллекторами транзисторов дифференциальной пары (выводы 5 и 9).




Содержание  Назад  Вперед