МИКРОСХЕМЫ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ




СЕРИИ МИКРОСХЕМ ДЛЯ МАГНИТОФОНОВ И ЭЛЕКТРОФОНОВ - часть 4


При входном напряжении 300 мкВ (при частоте модулирующего сигнала 400 Гц и глубине модуляции 80 %) коэффициент нелинейных иска­жений не превышает 3 %. Если входной сигнал изменяется от 0,05 до 3 мВ, изменение выходного напряжения не превышает 6 дБ. На­пряжение на выходе системы АРУ при отсутствии входного сигнала 3 — 4,5 В.

Напряжение питания 3,6 — 10 В, потребляемая мощность не бо­лее 35 мВт.

Микросхема К237ХКЗ (рис. 2.14,в) представляет собой усили­тель с выпрямителем для индикатора уровня записи и оконечный усилитель магнитной записи.

Рис. 2.15. Микросхема К237ГС1

Рис. 2.16. Варианты применения микросхем серии К237:

а — усилитель НЧ; б — предварительный усилитель НЧ; в — усилитель записи и воспроизведения магнитофона; г — генератор то­ка стирания и подмагничивания со стабилизатором напряжения; д — блок ВЧ; е — усилитель ВЧ с детектором и усилителем АРУ

Оконечный апериодический усилитель выполнен на транзисто­рах Т1 — T3 В микросхеме предусмотрена возможность коррекции частотной характеристики с помощью внешних компонентов. Коэф­фициент нелинейных искажений усилителя не превышает 0,6 %. На транзисторе Г4 выполнен выпрямитель индикатора записи по схеме с разделенной нагрузкой. Для сглаживания пульсаций параллельно индикатору подключают электролитический конденсатор большой емкости.

Напряжение питания микросхемы 5 В +10 %, потребляемая мощность не более 22 мВт.

Микросхемы К237ХК5 (рис. 2.14,г) и К237ХК6 (рис. 2.14,5) предназначены для радиоприемника с УКВ диапазоном. Первая из микросхем позволяет создать усилитель ВЧ с коэффициентом усиления 10 — 25 и преобразователь, а вторая — усилитель ЧМ сигналов ПЧ 10,7 МГц и детектор.

Для обеих микросхем напряже­ние питания 5 — 10 В, а потребляе­мая мощность не более 80 мВт.

Микросхема К237ГС1 (рис. 2.15) предназначена для создания генера­тора тока стирания и подмагничи-вания и стабилизатора напряжения питания магнитофона.

Генератор тока стирания и под-магничивания выполняют на тран­зисторах Т1 и Т2 по двухтактной трансформаторной схеме (рис. 2.16.г).


Содержание  Назад  Вперед