Микросхемы российские




Электрические параметры



&nbsp ПараметрЗначение
1 Рабочее напряжение VDD от 2,0 до 5,5 В
2 Напряжение удержания памяти VMR не менее 1,0 В
3 Ток удержания памяти IMR не более 1 мкА
4 Ток потребления в импульсном режиме IDDP не более 0,15 мА
5 Ток потребления в тональном режиме IDDT не более 0,8 мА
6 Ток потребления при положенной трубке ISO не более 1 мкА
7 Ток потребления при снятой трубке ISO не более 10 мкА
8 Входной ток выводов строк IR не более 200 мкА
9 Выходная амплитуда однотонального сигнала столбцов VOС от 584 до 876 мВ (p-p)
10 Выходная амплитуда однотонального сигнала строк VOR от 456 до 684 мВ (p-p)
11 Ток при высоком уровне на выводах DP, XMUTE IOH1 не менее 0,2 мА
12 Ток при низком уровне на выводах MASK, DP, XMUTE IOL1 не менее 0,9 мА
13 Ток при низком уровне на выводе MODE OUT IOL2 не менее 5 мА
14 Коэффициент гармоник по выводу TONE DIS не более 2,4 %
15 Период следования импульсов TPALS от 99,5 до 100,5 мс
16 Длительность межцифровой паузы tIDP от 690 до 710 мс
17 Длительность программируемой паузы tPAU не более 2,2 с
18 Импульсный коэффициент kPLS от 1.45 до 1.55
19 Длительность нажатия клавиши tKEY не менее 21 мс
20 Длительность тонального сигнала при автоматическом наборе tDTMF от 80 до 100 мс
21 Длительность паузы между цифрами тонального сигнала при автоматическом наборе tP от 80 до 120 мс





Содержание  Назад  Вперед