Зарубежные интегральные микросхемы широкого применения

Однокристальные микропроцессоры общего применения


Тип

Разряд­ность

Адресуе­мая ем­кость па­мяти, бит

Число РОН

Тактовая частота, МГц

Напряжение питания, В



PПОТ

 мВт

Число команд

Тип кор­пуса и число вы­водов

Техноло­гия

Дополнительные сведения

MC68A09EL (ЕР, L, Р)

8

64 К

 —

1,5

+5

 —

100

КД-40, ПД-40

n-МОП

] Керамичес­кий корпус для модифи­каций L, EL, CL;

MC68BO9EL (ЕР, L, P)

8

64 К

 —

2

+5

 —

100

КД-40, ПД-40

n-МОП

MC6809EL (ЕР, L, P)

8

64 К

 

1

+5

100

КД-40, ПД-40

n-МОП

пластмассо­вый корпус для модифи­каций Р, ЕР, СР

МС68АООС

8

64 К

 —

1,5

+5

1000

72

КД-40,

n -МОП

(СР, L, P) MC68BOOL(P)

8

64 К

 —

2

+5

1000

72

ПД-40 КД-40, ПД-40

n -МОП

MC6800CL (СР, L, P)

8

64 К

 —

1

+5

1200

72

TU

КД-40, ПД-40

n-МОП

2650 2650A-1J 2650AJ

8 8 8

32 К 32 К 32 К

14 14 14

1,25 6,6 4,1

+5 +5

+5

525 750 750

75 75 75

КД-40 КД-40 КД-40

n-МОП n -МОП n -МОП

 Фирма Sig- netics

P8080AI С8080А1

8

8

64 К 64 К

8 8

3,12 3,12

12, ±5 12, ±5

1200 1200

78 78

КД-40 ПД-40

n-МОП n-МОП

 Типы Р. С имеют кор­пус КД-40, тип D — ПД-40

Р8080А2

 8

64 К

8

2,63

12, ±5

1200

78

КД-40, ПД-40

n-МОП

Типы Р, С имеют кор­пус КД-40, тип D — ПД-40

 
D8080A2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 
С8080А2

)

 

 

 

 

 

 

 

 

 
Р8080А

D8080A С8080А

1 8

Г

64 К

8

2,08

12, ±5

1200

78

КД-40, ПД-40

n-МОП

 
Р8085А2 С8085А2

1 8 I

64 К

8

5

+5

850

80

КД-40

n-МОП

Ч Встроенный тактовый ге­нератор

 
Р8085А С8085А

}*

64 К

8

3

+5

850

80

КД-40

п-МОП

 
CDP1802CD

8

64 К

16

3,2

3 — 15

10

91

КД-40

кмоп

 

 
CDP1802D

8

С4К

16

6,4

3 — 15

100

91

КД-40

кмоп

 

 
Z80-CPUCS(PS) (СМ)

8

64, К

14

2,5

+5

750

158

КД-40

п-МОП

 

 
Z80A-CPUCS(PS)

S

64 К

14

4

+5

1000

158

КД-40

п-МОП

 

 
IM6100-I1PL

12

0

3,33

4 — 11

12

67

ПД-40

кмоп

 

 
IM6100-IMDL

12

0

2,5

4 — 11

12

67

КД-40

кмоп

 

 
IM6100A-IDL

12

0

5,71

4 — 11

100

67

КД-40

кмоп

 

 

Продолжение табл. 3.13
Тип
Разряд­ность
Адресуе­мая ем­кость па­мяти, бит
Число РПН
Тактовая частота, МГц
Напряжение питания, В
н
о н
Gffl
a, s
Число команд
Тип кор­пуса и число вы­водов
Технология
Дополнительные сведения
MC68000
SBP9900ACJ (AEJ, AMJ, ANJ)
16 16
16МХ8 32 К
16 16
8 3
+5 5
500
61 69
КД-64
нмоп
И2Л
 
MN1610
16
64 К
5
2
+5;+12;-3
1200
33
КД-40
n-МОП
Фирма Panafa-
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
com
MN601
16
32 К
4
8,33
5; 10; 14
1100
41
ПД-16
n-МОП
Фирйа Data Ge-
Z8000
14
48МХ8
16
8
+5
 
41
 
n-МОП
neral
INS8900D
16
64 К
4
2
5; 12; — 8
1300
45
КД-40
n-МОП
 
9440DC(DM, PC) TMS9900
16 16
64 К 32 К
4 16
12 3
+5 12; ±5
1000 1200
64 67
КД-40 ПД-64
И2Л n-МОП
Фирма Fairchild
TMS9980JL(NL)
16

16
2,5
12; ±5
855
70
КД-40,
n-МОП
JL — керамиче-
 
 
 
 
 
 
 
 
ПД-40
 
ский корпус,
TMS9980A
16
 —
16
10
12; 2=5
1200
70
 —
n-МОП
NL — пласт-
TMS9985
16
 —
16
5
+5
 —
 —
 —
n-МОП
массовый
СР1600 СР1600А D8086
16 16 16
64 К 64 К 1МХ8
8 8 8
3,3
5
5
12; 5; — 3 12; 5; — 3
+5
900 900 1400
87 87 111
КД-40 КД-40
n-МОП n-МОП НМОП
Фирма Ge-j neral Inst
Таблица 3.14. Микропроцессорные секции
Тип
Разряд­ность
о

ГГйн
Тактовая частота, МГц
Напряжение питания, В
Pпот,мВт
Число микроко­манд
Тип кор­пуса и количест­во ВЫВО­ДОВ
Тип управляющей памяти
Техноло­гия
MCI 0800 (М)
4
 —
100
 — 5; 2; — 2
1600
16
ПД-48
МС 10801
эсл
9405АДС
4
8
13
+5
800
64
ПД-24
9406
И2Л
(АДМ, АРС)
 
 
 
 
 
 
 
SN54LS482
 
SBP0400ACJ
4
10
5
+5
1000
76
КД-40
SN54LS482
И2Л
SBP0401ACJ
4
10
5
+5
1500
76
КД-40
SN54LS482
И2Л
SBP0400ACN
4
10
5
+5
1000
76
ПД-40
SN74LS482
И2Л
SBP0401ACN
4
10
5
+5
1500
76
ПД-40
SN54LS482
И2Л
SBP0400AMJ
4
10
5
+5
1000
76
КД-40
SN74LS482
И2Л
SBP0401AMJ
3
10
5
+5
1500
76
КД-40
SN54LS482
И2Л
SN54LS481J
4
 —
10
+5
1000
210
ПД-48
SN74LS482
ттлш
SN74LS481J(N) 2901 АРС
4 4
10
16
10 25
+5 +5
1000 2400
210 512
ПД-48 ПД-40
АМ2929 АМ2911
ттлш ттлш
АМ2901АДМ
4
16
15
+5
1,3- 103
512
КД-40
АМ2909, АМ2911
ттлш
АМ2901АДС
4
16
12
+5
1.4.103
512
КД-40
АМ2909, АМ2911
ттлш
AM2901AFM
4
16
12
4-5
1,4-Ю3
512
КП-42
АМ2909, АМ2911
ттлш
AM2901FM
4
16
8,3
+5
1,4- 10*
512
КП-42
АМ2909, АМ2911
ттлш
IDM2901ADM
4
16
16
+5
1,4-103
512
КД-40
АМ2909, АМ2911
эсл
IDM2901ANC
4
16
16
+5
1,3- 103
512
ПД-40
АМ2909, АМ2911
эсл
IDM2901ADC
4
16
16
+5
1,3- 103
512
КД-40
АМ2909, АМ2911
эсл
IDM2901ADM
4
16
15
+5
1,4-Ю3
512
КД-40
АМ2909, АМ2911
эсл
IDM2901AFM
4
16
15
+5
1,4-Ю3
512
КД-40
АМ2909, АМ2911
эсл
N2901-11
4
16
25
+5
1,3- 103
512
КД-40
АМ2909, АМ2Э11
ТТЛ



Таблица 3.15. Однокристальные микро-ЭВМ
Тип
Разряд­ность
Встроенное
Число ли­ний вво­да-вывода
Тактовая частота, МГц
Напряже­ние пита­ния, В
Pпот, мВт
Число команд
Тип кор­пуса и число вы­водов
Техноло­гия
Дополнительные сведения
 
ОЗУ, бит
ПЗУ, бит
 
С8748-4
8
64X8
1 КХ8
27
6
+5
1300
95
 —
n-МОП
 
 
F3870DC(DM, PC,
8
64X8
2КХ8
32
4
+5
1000
76
КД-40,
n-МОП
 
 
DL, PL, PM)
 
 
 
 
 
 
 
 
ПД-40
 
 
 
MC6803EP(L, P)
8
128X8
2КХ8
31
3,58
+5

31
ПД-40
n-МОП
 
 
MC6805L(P)
8
64X8
1 КХ8
 —
4
+5
 —
 —
 —
n-МОП
 
 
PIC1650 PIC 1655
8/12
32X8
512X12
32
1
+5
350
31
КД-40
n-МОП
12-разряд­ ная адрес-
ная шина
 
PIC 1670
8/12
32X8
1 КХ12
32
1
+5
350
31
КД-40
n-МОП
 
P8035-4 D8035-4
} <
64X8
256X8
27
6
+5
1300
95
 —
n-МОП
 
 
РЯП48
ч
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
i OUrrO
D8048
} 8
64X8
1КХ8
27
6
+5
675
96
ПД-40
n-МОП
 
 
РЯПЧР
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
a O*JOv7
D8039
} 8
128X8
0
27
11
+5
700
96
ПД-40
n-МОП
 
 
D8049
8
128X8
2КХ8
27
11
4-5
700
96
ПД-40
n-МОУ
 
 
P8021
8
64X8
1 КХ8
21
4
+5
300
70
ПД-28
n-МОП
 
 
P8022
 
8
 
64X8
 
2КХ8
 
27
 
4
 
+5
 
400
 
74
 
КД-40
 
n-МОП
 
Встроенный
АЦП
 
Р8051
8
128x8
1КХ8
32
12
 —
 —
 —
ПД-40
НМОП
 
R6500
I 8
64X8
2КХ8
32
4
4-5
700
56
ПД-40
 —
 
R6501
)
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
SY6500
} 8
64X8
2КХ8
32
2
+5
500
53
 —
n-МОП
 —
SY6501
J
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Z8
8
128X8
2КХ8
32
8
+5
 —
129
 —
n-МОП
 
8041
} 8
64X8
1 КХ8
18
6
4-5
 —
90
 —
n-МОП
8741 с ППЗУ
8741
J
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
87С48
8
64X8
1 КХ8
18
6
3 — 12
50
90
 —
КМОП
 
МК3872 МК3873
8 8
64X8 128X8
4КХ8 2КХ8
32 32
4 4
+5
4-5
435
76 70
 —
n-МОП n-МОП
Имеет последо­вательный ка­нал ввода-вы­вода
СОР 1804
8
64X8
2КХ8
13
8
5 — 10
 —
102
 —
кмоп/ кнс
 
TMS9940M
16
128X8
2КХ8
32
5
4-5
 —
68
 —
n-МОП
 
TMS9940E
16
128X8
2КХ8
32
5
4-5
~
68
 
n-МОП
Имеет встроен­ное ППЗУ
Z8611
8
128X8
4КХ8
 —
8
4-5
 —
 —
 —
n-МОП
 
Z8612 (Z8613) Z8671
8 8
8
128X8 128X8 128X8
Нет Нет 2КХ8
 —
8 8 8
-4-4-4-
1 СЯ СЛ СЯ
 —
 —
Е
n-МОП n-МОП n-МОП
 
Z8681
8
128X8
Нет
 
8
Ч-
Сг
 
 
 
n-МОП
Расширяется до 62 Кбайт внеш­ней памятью или каналами ввода -вывода



style='font-size:16.0pt'>3.3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА
По конструктивно-технологическому признаку полупроводнико­вые запоминающие устройства (ЗУ) делятся на два больших клас­са: ЗУ на основе МОП-структур и биполярные. Среди МОП-струк­тур выделяют р-канальные, <-канальные и комплементарные (КМОП) ЗУ. Последние могут изготавливаться либо в монолитном кремнии, либо на основе структур кремний на сапфире (КНС ЗУ). Биполяр­ные ЗУ в зависимости от типа используемой логики бывают ЭСЛ-типа, ТТЛ-типа или ТТЛ с диодами Шоттки и на основе инжекци-онной логики (И2Л).
По функциональному назначению и областям применения ЗУ подразделяются на оперативные с произвольной выборкой инфор­мации (ОЗУ), применяющиеся, например, в основной памяти вычис­лительных машин, и постоянные ЗУ с программированием на ста­дии изготовления (ПЗУ) или пользователем (ППЗУ), предназначен­ные для хранения программ или для блоков микропрограммного управления вычислительных машин, генераторов символов, таблиц. Разновидностью ППЗУ являются ЗУ с перепрограммированием — так называемые репрограммируемые ЗУ (РПЗУ), применяемые для отладки программ, когда необходима многократная смена инфор­мации.
По схемотехническому принципу построения ячеек запоминаю­щей матрицы либо электронного обрамления ЗУ бывают статичес­кого и динамического типов.
В динамических ЗУ информация хранится в виде электрическо­го заряда на МОП-конденсаторе. Вследствие утечки накопленного заряда требуется его регенерация. Необходимость использования дополнительных схем регенерации и иногда трех источников пита­ния с различным напряжением является недостатком схем данного типа. Однако благодаря большей степени интеграции и низкой стоимости ЗУ этого класса широко применяются в основной памяти вычислительных машин, в периферийных и буферных устройствах. Серийно выпускаются динамические ОЗУ емкостью до 64 Кбит и ведутся разработки ОЗУ емкостью 256 и 512 Кбит на одном крис­талле.
В отличие от ОЗУ динамического типа в запоминающей ячейке статических ОЗУ используются потенциальные триггеры. Поэтому для этих ОЗУ в регенерации необходимости нет. Для их работы, как правило, необходим только один источник питания. Современ­ные статические ОЗУ по принципу действия можно разделить на три класса:
1) нетактируемые ОЗУ, в которых каждое изменение адреса вы­зывает получение нового результата, если кристалл выбран. По­требляемый ток и, следовательно, рассеиваемая мощность не зави­сят от того, выбран или не выбран кристалл. Примерами ЗУ дан­ного типа служат изделия 2613 фирмы Signetics, 4044 фирмы

Содержание раздела